强度等优势，因此受到广泛关注和应用。高质量SiC氧化技术是SiC器件的关键核心工艺。通过不断优化SiC氧化工艺，可以进一步提高SiC功率器件的质量和性能，推动碳化硅功率器件在电动汽车等领域的广泛应用。

　　近日，第九届国际第三代（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“碳化硅功率器件及其封装技术”分会上，山东大学升教授做了“SiC的高温氧化研究”的主题报告，分享了最新研究成果。涉及栅极氧化、沟槽MOS管等。

　　SiC沟槽MOSFET具有优异的耐高压、大电流特性，器件开关损耗比Si基IGBT低约77%。SiC MOSFET器件的阈值电压漂移影响了其广泛的应用，其根本原因是栅极氧可靠性差，栅极氧化是影响SiC MOSFET器件广泛应用的关键问题。

　　其中，高温氧化研究方面，报告给出了近界面陷阱的密度、界面陷阱电荷、TEM横截面图、栅极氧化物厚度均匀性等。沟槽MOS晶体管研究方面，涉及SEM俯视图、欧姆接触、器件性能等内容。研究结果显示， 4H-SiC在1250°C下的氧化，厚度~45nm。SiO2和SiC之间的NITs: ~ 1.68×1010 cm-2。击穿电场为9.7MV/cm，势垒高度为2.59eV。

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　　）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在

　　的5大优势 /

　　与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

　　、高压应用。它提供了更高的效率，并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。

　　）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。

　　器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在

　　），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状

　　)的历史与应用 /

　　与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

　　功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备

　　技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如

　　肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。该器件将传统

　　具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中

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